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電磁兼容試驗(yàn)設(shè)備EMS

瞬態(tài)抗擾度測試系統(tǒng) 直流電壓變動電壓跌落中斷抗擾度試驗(yàn) 工頻磁場發(fā)生器汽車干擾模擬器振鈴波發(fā)生器觸摸式脈沖磁場發(fā)生器多功能耐壓測試儀

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IMU3000瞬態(tài)抗擾度測試系統(tǒng)

更新時間：2025-09-16

型號：IMU3000

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瞬態(tài)抗擾度測試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)： ● 設(shè)定簡單：7' 彩色觸控屏幕，全新的圖形操作界面 ● 內(nèi)置單相16A CDN，自動切換測試項(xiàng)目，生成的測試報告 ● 模塊化的設(shè)計(jì)，可現(xiàn)場升級擴(kuò)充模塊，升級能力強(qiáng) ● 可自定義測試序列，利用USB存取維護(hù)數(shù)據(jù) ● 最高的測試等級 √ CWG浪涌組合波、100kHz振鈴波、10/700μs浪涌通訊波，全部達(dá)到8kV測試電平。
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SKS-2910直流電壓變動

更新時間：2025-09-16

型號：SKS-2910

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直流電壓變動 1、測試目的直流電壓暫降、短時中斷是直流供電故障或負(fù)荷突然出現(xiàn)大的變化引起的。在某些情況下會出現(xiàn)兩次或者更多次連續(xù)的暫降或中斷。電壓變化是由連接到直流的負(fù)荷連續(xù)變化引起的。本測試可為直流電子產(chǎn)品對電壓瞬變、短時中斷的抗干擾能力建立一個共同依據(jù)。
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SKS-1120GTB電壓跌落中斷抗擾度試驗(yàn)

更新時間：2025-09-16

型號：SKS-1120GTB

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1.電壓跌落中斷抗擾度試驗(yàn) 模擬低壓電網(wǎng)由于事故或大負(fù)載突然變化而引起的電網(wǎng)電壓跌落和短時中斷，或由于負(fù)載持續(xù)變化而引起的電網(wǎng)電壓變化。用于評價設(shè)備在這些電壓變化情況下的表現(xiàn)。
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SKS-1206IB振鈴波發(fā)生器

更新時間：2025-09-16

型號：SKS-1206IB

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振鈴波發(fā)生器測試目的模擬電網(wǎng)和電抗性負(fù)載的切換，以及電網(wǎng)中由于絕緣擊穿和雷擊而感應(yīng)到低壓電纜中的震蕩瞬變,為家用、商業(yè)及工業(yè)用電氣和電子設(shè)備，以及電力設(shè)備的抗擾度性能評價建立一個共同準(zhǔn)則。
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SKS-1206IA振鈴波發(fā)生器

更新時間：2025-09-16

型號：SKS-1206IA

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振鈴波發(fā)生器測試目的模擬電網(wǎng)和電抗性負(fù)載的切換，以及電網(wǎng)中由于絕緣擊穿和雷擊而感應(yīng)到低壓電纜中的震蕩瞬變,為家用、商業(yè)及工業(yè)用電氣和電子設(shè)備，以及電力設(shè)備的抗擾度性能評價建立一個共同準(zhǔn)則
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SKS-0805工頻磁場發(fā)生器

更新時間：2025-09-16

型號：SKS-0805

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工頻磁場發(fā)生器是由設(shè)備附近導(dǎo)體中的工頻電流或附近的變壓器泄露產(chǎn)生的騷擾產(chǎn)生，對于附近的導(dǎo)體產(chǎn)生的工頻磁場，分為兩種情況： ?正常運(yùn)行條件下，產(chǎn)生穩(wěn)定的磁場，幅值較小。 ?故障條件下的電流，產(chǎn)生幅值較高，持續(xù)時間較短的磁場，可能造成保護(hù)裝置，如熔斷器動作。實(shí)驗(yàn)室模擬工頻磁場和脈沖磁場測試時，由信號源產(chǎn)生相應(yīng)電壓信號，經(jīng)電流互感器將信號傳遞給 1m x 1m 磁場線圈，從而產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)磁場進(jìn)行測試。
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SKS-0902脈沖磁場發(fā)生器

更新時間：2025-09-16

型號：SKS-0902

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脈沖磁場發(fā)生器模擬由雷擊建筑物和其他金屬構(gòu)架（包括天線桿、接地體和接地網(wǎng)），以及由低壓、中壓和高壓電力系統(tǒng)中故障的起始暫態(tài)電流產(chǎn)生的脈沖磁場對周圍環(huán)境的設(shè)備以及通信系統(tǒng)的影響。
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SKS-0404IB脈沖群發(fā)生器

更新時間：2025-09-16

型號：SKS-0404IB

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脈沖群發(fā)生器抗擾度試驗(yàn)，是模擬電網(wǎng)中眾多機(jī)械開關(guān)在切換感性負(fù)載時所產(chǎn)生的干擾。這類干擾的特點(diǎn)是：成群出現(xiàn)的窄脈沖、脈沖的重復(fù)頻率較高（kHz-MHz 級）、上升沿陡峭（ns 級）單個脈沖的持續(xù)時間短暫（10-100ns 級）、幅度達(dá)到 kV 級。成群出現(xiàn)的窄脈沖可對半導(dǎo)體器件的結(jié)電容充電，當(dāng)能量積累到一定程度后可引起線路或設(shè)備出錯。
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